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業界Z小尺寸的FRAM器件---富士通半導體成功推出
點擊次數:1123 發布時間:2015-07-18

     近日富士通成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm,一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸小的1 Mb FRAM器件。MB85RS1MT為智能可穿戴設備提供了理想的內存器件的選擇,除了可讓終端應用產品的整體體積變小之外,更可讓整個系統在寫入數據時將功耗降至低,以延長系統工作時間。智能可穿戴設備是當下的市場熱點,并以驚人的速度快速滲透和發展。智能可穿戴設備應用涵蓋范圍廣闊且種類繁多,包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等,以及可記錄卡路里消耗量和運算數據的活動記錄器如智能手環等。而在這些眾多智能可穿戴設備當中,遠傳磁翻板液位計持續的實時記錄數據亦是*的。

    與一般的非揮發性內存如EEPROM和閃存(Flash)等相比,富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期,它的寫入速度為前者的1000倍以上,而功耗僅為其1/1000-1/100000,FRAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上,是實時存儲數據的理想選擇。為了在更廣泛的應用中進一步擴大FRAM快速讀寫、高可靠性和低功耗的特點,富士通半導體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后,更推出了其全新WL-CSP封裝版本(見圖一)。在采用WL-CSP封裝后,MB85RS1MT的體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm,比SOP封裝體積小了95%(見圖二)---其面積比SOP封裝小了77%(見圖三),其厚度僅相當于厚度的一半(見圖四)。低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發性內存,FRAM寫入數據的速度也比較快,因此可在寫入數據時大幅降低功耗(如圖五)。基于此原因,為了實時記錄而需經常性寫入數據的穿戴式裝置在采用此FRAM后,可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。

 

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